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Wind turbines for high-power producing components and devices

能效和可靠性

加快绿色、清洁可再生、高效和大功率产生组件和设备的设计。

之前的世界瞬息万变，对比较有限的绿色清洁能源成本参与维护变得比较比较关键。无定形碳硅 (SiC) 和氮化镓（GaN）等宽带网络隙半导体芯片系统性的的进展还在达成干净的、再生能力和可以信赖的绿色清洁能源环保系统性的的的发展，但也给项目 建筑师创造了新的挑战自我赛。项目 建筑师可依附于泰克具备的校正满足细则，面对在这里和未來的电化环保系统性的挑战自我赛。 

探索适用于研发和验证的 SiC 和 GaN 解决方案

Wide bandgap semiconductor materials research

宽禁带半导体材料研究

WBG 材料是提高 SiC 和 GaN 性能以加快开关速度、提高功率密度、进行高温操作、确保可靠性以及优化尺寸和成本的持续挑战的核心。
4200A-SCS for characterizing wide bandgap semiconductors

检定宽禁带设备

要了解 SiC 或 GaN 设备的基本特性和电气性能，需要精确的电压和电流测量。
AFG31000 for double pulse testing

双脉冲测试

双脉冲测试是用于测量 MOSFET 和 IGBT 功率设备的开关参数的标准方法。在以前，设置双脉冲测试非常耗时，因为函数发生器没有内置的方式来配置和设置测试。
wide bandgap devices

验证宽禁带设备

设计新的 SiC 和 GaN 设备时，需要在设计和生产阶段进行大量测试，以便推动工艺改进、提高产量和降低成本。与传统硅相比，测试 WBG 功率设备需要更好的分辨率、更高的功率和更快的速度。